快科技7月7日音尘，据报谈，为应付台积电与三星行将推出的1.4纳米级芯片本领，英特尔贪图在圭表的14A工艺基础上，推出一项名为14A2（即14A Gen2）的修订版制程。
针对14A2工艺，英特尔筹商在原定背部供电的基础上，同期保留部分前部供电，酿成前后双侧供电有筹画，以应付更先进制程下互连尺寸进一步消弱带来的本领挑战。
此外，英特尔贪图在14A工艺中禁受名为PowerDirect的背部供电本领，将供电网罗升沉至晶圆后头。在动作半节点升级版块的14A2工艺上，英特尔贪图进一步消弱最低金属互连层M0间距。
指标是从14A的约28纳米压缩至约21纳米，以擢升晶体管密度并提高High-NA EUV光刻建设的经济性。
按照蹊径图，英特尔贪图于2026年10月向外部客户提供14A工艺0.9版块工艺瞎想套件，随后争取在18个月内取得大型无晶圆厂芯片瞎想企业的订单。2028年运转风险试产、2029年达成量产。
与此同期，台积电A14晶圆厂展望2027年底试产、2028年下半年量产。三星则贪图2029年量产1.4纳米工艺。三巨头将在1.4纳米节点正面交锋。
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快科技7月7日音尘，据报谈，为应付台积电与三星行将推出的1.4纳米级芯片本领，英特尔贪图在圭表的14A工艺基础上，推出一项名为14A2（即14A Gen2）的修订版制程。 针对14A2工艺，英特尔筹商在原定背部供电的基础上，同期保留部分前部供电，酿成前后双侧供电有筹画，以应付更先进制程下互连尺寸进一步消弱带来的本领挑战。 此外，英特尔贪图在14A工艺中禁受名为PowerDirect的背部供电本领，将供电网罗升沉至晶圆后头。在动作半节点升级版块的14A2工艺上，英特尔贪图进一步消弱最低金属互连层
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